InSbやHg1-xCdxTeなどの狭いバンドギャップ半導体表面の反転層でバンドの非放物性を扱う（後に標準となった）手法を開発[1]して，電子構造を計算[2,3]し，光吸収スペクトルを解析[4]した．この系の電子は複数のサブバンドを占めるため，音響型プラズ モンが存在しうる[5]．   　　なお，複数サブバンドの占有は１軸圧力下Si表面でも可能で，その電子構造や輸送問題，サイクロトロン共鳴を考えた[6-8].